若要觸控螢幕迅速成為業界優先選擇的技術，低洩漏電流和高電源效率非常重要，韓國代工廠的0。13微米節點特殊嵌入式快閃記憶體製程是實現高性能微控制器單元(MCU)晶片的理想之選。  東部高科行銷執行副總裁Jae Song表示：「當前的目標是拓展與智慧型手機市場多家無生產線設計客戶的合作，預計本的嵌入式快閃記憶體製程將得到有效利用，生產用於平板電腦的TSC晶片以及MCU單片。」  他指大尺吋觸控螢幕出，本相對較新的嵌入式快閃記憶體製程提供極高的資料保留率和抗干擾性能，這歸功於在過去十年中生產編碼型(NOR)快閃記憶體晶片所累積的豐富經驗。  嵌入式快閃記憶體設計優點東部高科的先進嵌入式快閃記憶體製程相容低壓邏輯電路，同時適用於核心和I/O，工作電壓1。5V/3。3V（或可選8V/18V），並且具有待機洩漏電流低的特點，洩漏電流通常為1μA。  各種嵌入式快閃記憶體Macro IP（免費提供）支援16、32、64、128和256KB的非揮發性儲存密度。憑藉可減少測試時間的內建測試模式、穩定的macro IP以及可選銅線焊接，在芯片開發過程中進一步降低成本。       氬焊機,pos,pos系統,powder metal,sintered metal]